logo
أرسل رسالة
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية tiếng Việt বাংলা
المنزل
المنتجات
مصنعين
حولنا
موارد
أرسل RFQ
المنزل>المنتجات>

mosfet field effect transistor

المرشحات
الفئات
المرشحات

رقائق IC الإلكترونية

(656)

رقاقة ذاكرة IC

(18)

رقاقة IC الترانزستور

(28)

مكبر صوت رقائق IC

(18)

دائرة متكاملة متحكم دقيق

(16)

المرحلية إدارة الطاقة

(21)

لوحة الدوائر PCBA

(13)

وحدة دارة متكاملة

(10)

مكونات إلكترونية أخرى

(29)

المقاومات المكثفات

(25)

ديود أشباه الموصلات

(10)
الكلمات الرئيسية   [ mosfet field effect transistor ]  مباراة 12 المنتجات.
SMD موسفيت مجال تأثير الترانزستور SOT-23 L2N7002LT1G

SMD موسفيت مجال تأثير الترانزستور SOT-23 L2N7002LT1G
SMD MOS مجال تأثير الترانزستور SOT-23 LP3407LT1G RoHS

SMD MOS مجال تأثير الترانزستور SOT-23 LP3407LT1G RoHS
WSF28N06 مجال تأثير الترانزستور IC رقاقة N قناة MOSFET أكسيد المعادن

WSF28N06 مجال تأثير الترانزستور IC رقاقة N قناة MOSFET أكسيد المعادن
NTMFS4833NT1G ترانزستور N قناة موسفيت 30v 5 دبوس 16A 156A

NTMFS4833NT1G ترانزستور N قناة موسفيت 30v 5 دبوس 16A 156A
2SC4468 الترانزستور IC رقاقة 3 دبوس 600V 55A ثنائي القطب الترانزستور

2SC4468 الترانزستور IC رقاقة 3 دبوس 600V 55A ثنائي القطب الترانزستور
2N7002 موسفيت N Channel SMD 60V 115MA الدوائر المتكاملة

2N7002 موسفيت N Channel SMD 60V 115MA الدوائر المتكاملة
موسفيت NPN الترانزستور IC رقاقة SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G

موسفيت NPN الترانزستور IC رقاقة SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G
SOT-23-3 المكونات الإلكترونية الأخرى موسفيت NPN الترانزستور PNP LP2301BLT1G

SOT-23-3 المكونات الإلكترونية الأخرى موسفيت NPN الترانزستور PNP LP2301BLT1G
NX7002AK ، 215 1 N قناة الخندق موسفيت 60V 190mA واحد SMD / SMT

NX7002AK ، 215 1 N قناة الخندق موسفيت 60V 190mA واحد SMD / SMT
إلكترونيات الدوائر المتكاملة SMD SOT-23-3 قناة 2N7002K أحادية N

إلكترونيات الدوائر المتكاملة SMD SOT-23-3 قناة 2N7002K أحادية N
صورةجزء #الوصفالصانعالأسهمRFQ
SMD موسفيت مجال تأثير الترانزستور SOT-23 L2N7002LT1G

SMD موسفيت مجال تأثير الترانزستور SOT-23 L2N7002LT1G
SMD MOS مجال تأثير الترانزستور SOT-23 LP3407LT1G RoHS

SMD MOS مجال تأثير الترانزستور SOT-23 LP3407LT1G RoHS
WSF28N06 مجال تأثير الترانزستور IC رقاقة N قناة MOSFET أكسيد المعادن

WSF28N06 مجال تأثير الترانزستور IC رقاقة N قناة MOSFET أكسيد المعادن
NTMFS4833NT1G ترانزستور N قناة موسفيت 30v 5 دبوس 16A 156A

NTMFS4833NT1G ترانزستور N قناة موسفيت 30v 5 دبوس 16A 156A
2SC4468 الترانزستور IC رقاقة 3 دبوس 600V 55A ثنائي القطب الترانزستور

2SC4468 الترانزستور IC رقاقة 3 دبوس 600V 55A ثنائي القطب الترانزستور
2N7002 موسفيت N Channel SMD 60V 115MA الدوائر المتكاملة

2N7002 موسفيت N Channel SMD 60V 115MA الدوائر المتكاملة
موسفيت NPN الترانزستور IC رقاقة SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G

موسفيت NPN الترانزستور IC رقاقة SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G
SOT-23-3 المكونات الإلكترونية الأخرى موسفيت NPN الترانزستور PNP LP2301BLT1G

SOT-23-3 المكونات الإلكترونية الأخرى موسفيت NPN الترانزستور PNP LP2301BLT1G
NX7002AK ، 215 1 N قناة الخندق موسفيت 60V 190mA واحد SMD / SMT

NX7002AK ، 215 1 N قناة الخندق موسفيت 60V 190mA واحد SMD / SMT
إلكترونيات الدوائر المتكاملة SMD SOT-23-3 قناة 2N7002K أحادية N

إلكترونيات الدوائر المتكاملة SMD SOT-23-3 قناة 2N7002K أحادية N
BSS138K رقائق إلكترونية إلكترونية 220 مللي أمبير 50 ​​فولت 3 دبوس حزمة SOT-23

BSS138K رقائق إلكترونية إلكترونية 220 مللي أمبير 50 ​​فولت 3 دبوس حزمة SOT-23
BSS123 SA SOT23 رقائق إلكترونية إلكترونية مثبتة على سطح 3 دبوس

BSS123 SA SOT23 رقائق إلكترونية إلكترونية مثبتة على سطح 3 دبوس
1
اتصل بنا
العنوان: B615 ، مبنى Niulanqian ، شارع Minzhi ، مقاطعة Longhua ، مدينة Shenzhen ، مقاطعة Guangdong ، الصين
البريد الإلكتروني: wilson@reselectronics.com.cn
الهاتف: 86--- 18320218574
المنتجات

رقائق IC الإلكترونية

رقاقة ذاكرة IC

رقاقة IC الترانزستور

مكبر صوت رقائق IC

دائرة متكاملة متحكم دقيق

المرحلية إدارة الطاقة

لوحة الدوائر PCBA

وحدة دارة متكاملة

مكونات إلكترونية أخرى

المقاومات المكثفات
حولنا
حولنا شهادة الأيزو مراقبة الجودة سياسة الخصوصية مركز المساعدة
سياسة الخصوصية | الصين جودة جيدة رقائق IC الإلكترونية المورد. حقوق الطبع والنشر © 2022-2025 Shenzhen Res Electronics Limited . كل الحقوق محفوظة.