2N7002 موسفيت N Channel SMD 60V 115MA الدوائر المتكاملة
2N7002 موسفيت N Channel SMD
,60V N Channel موسفيت
,N Channel موسفيت SMD
الدوائر المتكاملة 2N7002 الترانزستورات ذات التأثير الميداني الصغير موسفيت N-CH 60V 115MA
منتجات وصف:
2N7002 ترانزستور ، موسفيت ، قناة N ، 115 مللي أمبير ، 60 فولت ، 1.2 أوم ، 10 فولت ، 2.1 فولت
2N7002 عبارة عن ترانزستور تأثير المجال ذي القناة N المصنوع باستخدام كثافة خلايا عالية وتقنية DMOS.إنه يقلل من المقاومة في الحالة مع توفير أداء تحويل قوي وموثوق وسريع.يمكن استخدامه في معظم التطبيقات التي تتطلب ما يصل إلى 400 مللي أمبير من التيار المستمر ويمكنه توصيل تيارات نبضية تصل إلى 2 أمبير.مناسب للتطبيقات منخفضة الجهد والتيار المنخفض ، مثل التحكم في محرك سيرفو صغير وبرامج تشغيل بوابة موسفيت للطاقة.
تصميم خلية عالية الكثافة لـ RDS (ON) منخفضة للغاية.
القدرة الحالية عالية التشبع.
مفتاح إشارة صغير يتم التحكم فيه بالجهد.
متين وموثوق
يتم إنتاج ترانزستورات التأثير الميداني لوضع تحسين القناة N باستخدام تقنية DMOS الخاصة بكثافة الخلايا العالية والمملوكة لشركة Fairchild.تم تصميم هذه المنتجات لزيادة المقاومة على الحالة مع توفير أداء متين وموثوق وسريع التحويل.يمكن استخدامها في معظم التطبيقات التي تتطلب ما يصل إلى 400 مللي أمبير DC ويمكنها توصيل التيارات النبضية حتى 2A.هذه المنتجات مناسبة بشكل خاص للتطبيقات ذات الجهد المنخفض ، والتيار المنخفض مثل التحكم في محرك سيرفو صغير ، وبرامج تشغيل بوابة موسفيت للطاقة ، وتطبيقات التبديل الأخرى.
المعلمات التكنولوجية:
| الفولطية المقدرة (DC) | 60.0 فولت |
| التصنيف الحالي | 115 مللي أمبير |
| القوة المصنفة | 200 ميغاواط |
| الرقم السري | 3 |
| مقاومة مصدر الصرف | 1.2 Ω |
| قطبي | قناة N |
| تبدد القوة | 200 ميغاواط |
| جهد العتبة | 2.1 فولت |
| جهد مصدر الصرف (Vds) | 60 فولت |
| جهد انهيار مصدر البوابة | ± 20.0 فولت |